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65W 以内电源适配器设计经验
作者:    发布于:2019-08-20 17:59   
摘要:  能效整改  1. VF 值,肖特基  ·低 VF 值的要比普通的要高0.5-3个百分比;  ·品牌、VF 值不一样,有差别;  ·选型,能用40V 的就不要......

  能效整改

  1. VF 值,肖特基

  ·低 VF 值的要比普通的要高0.5-3个百分比;
  ·品牌、VF 值不一样,有差别;
  ·选型,能用40V 的就不要用45V 或者60V 的,电压经测试可以得出。

  2. 加速度肖特基的导通

  电源适配器基本上都在次级加入了 RCD 电路,如图,可将 R2 更改为 D3(D3为4148),此处更改可增加老化后0.5%的效率,但是 R1 的位置要按测试 EMI 测试出来的数据相对应的调整。

  3. 初级 RCD

  可将吸收的 D 更改为阻尼二极管。

  此处更改有以下优势:

  ① MOS 管的峰值会下降。600V 左右的峰值会下降到520V 左右。实测为准。
  ② 能效,老化5分钟后,增加0.5%的效率。
  ③ 注意事项,此时吸收只的 R,取值5M-10M 左右为最佳。
  ④ 注意 MOS 串在 RCD 上的电阻,太小会影响 EMI,大了也不适合。以测试为准。

  4. 变压器

  此处各位搞工程的都懂,无非就是设计时的计算与绕线方式。

  本人经验

  ·定频 65KHZ 的 IC 在45-50KHz 时(满载)最佳。
  ·注意10%--25%负载时有没有异音。

  5. 电解电容 ESR
 
  低 ESR 的效率要高过普通的,包括现在用的高分子电容。可以提高寿命与能效,是针对低压大电流的不二选择。

  6. 待机

  高压好点的ag平台起动的 IC,节省了起动电阻的损耗。非高压起动的 IC 可加大起动电阻来减少待机功率,但是会影响起动时间,可以按一定条件更改 VCC 起动电容,或者增加二级起动电路等,包括更改假负载电阻等,当然太小了会出现空载不稳定的现象等。

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